技术编号：12370339
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微电子领域，涉及半导体器件的制作工艺，具体是指一种双结型栅氮化镓异质结场效应管，其可用于制作高性能的异质结与功率器件。技术背景氮化镓基异质结场效应管(GaNHFET)不但具有禁带宽度大、临界击穿电场高、电子饱和速度高、导热性能好、抗辐射和良好的化学稳定性等优异特性，同时GaN材料可以与铝镓氮(AlGaN)等材料形成具有高浓度和高迁移率的二维电子气异质结沟道，因此特别适用于高压、大功率和高温应用，是电力电子应用最具潜力的晶体管之一。目前GaN基HFET器件的制作已经趋于成熟，但是仍然缺乏...
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