技术编号:12370387
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件制造领域,特别是指一种屏蔽栅沟槽型MOSFET工艺方法。背景技术屏蔽栅沟槽型MOSFET,作为一种功率器件,具有击穿电压高,导通电阻低,开关速度快的特点。如图1所示,沟槽内填充多晶硅,多晶硅分为两部分:位于沟槽下部的多晶硅形成屏蔽栅多晶硅4,位于沟槽上部的多晶硅构成多晶硅栅极6,两层多晶硅之间隔有氧化硅膜层5。当前屏蔽栅沟槽型MOSFET的制造工艺,由于在多晶硅间氧化膜湿法刻蚀时会沿着光刻胶下方横向刻蚀,且横向刻蚀量不稳定,所以,在有源区沟槽和终端区沟槽之间要放1~2个赝沟槽...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。