技术编号:12370410
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电子材料与元器件领域,具体涉及一种薄膜晶体管及其制备方法。背景技术薄膜晶体管是由沉积在衬底上的导电层、有源层、绝缘层等薄膜构成,是为适应全膜化薄膜集成电路的需要而发展起来的,它被广泛应用在平板显示器、薄膜集成电路、光电图像传感器、薄膜存储器和气敏传感器等领域。近十几年以来,以氧化物为有源层的薄膜晶体管具有较高的场效应迁移率、较小的亚阈值摆幅、较大的开关比、较好的透明性、可低温制备以及与硅基工艺基本兼容等诸多优点而备受关注。目前,薄膜晶体管常用的绝缘层材料有氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化锆...
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