技术编号：12370434
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种二极管阳极结构、纵向二极管以及横向二极管。背景技术在高压开关应用领域中，为了提高效率降低损耗，要求二极管具有反向漏电小、反向耐压大和正向导通压降小的特性。基于宽禁带半导体材料，特别是氮化镓材料的功率电子器件具有优越的特性。因此，氮化镓肖特基二极管近年来逐渐成为研究的热点。众所周知，PN结二极管的正向压降大，因此其导通损耗大，但是其反向漏电流小，关态损耗小。肖特基二极管则具有正向压降小，反向漏电大的特点。此外肖特基二极管由于不存在少子存储效应，与PN结二...
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