技术编号：12370508
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于太阳能电池制造领域，具体涉及一种制备晶硅薄膜异质结太阳能电池的方法。背景技术传统的晶体硅太阳能电池厚度要达到180μm，实际上有2个微米就可以吸收足够的光子，硅片厚度主要受切割技术的限制，切割150μm的硅片，其碎片率就会变得很高，所以从硅锭上切割2μm的硅片是不可能的，通过外延的方法制备薄的晶硅价格会更昂贵，通过高温加热的方法也可以从非晶硅制备得到晶体硅，但是没有一个合适的衬底能承受800度以上的高温。发明内容针对上述问题，本发明提供了一种制备薄膜晶硅异质结太阳能电池的方法。本发明的...
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