技术编号:12370537
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及发光二极管的外延技术领域,特别是可以提高亮度带3D层的LED外延结构。背景技术半导体LED具有体积小、耗电量低、使用寿命长、环保和兼顾耐用等优点,在照明、显示屏和背光光源等领域有着广泛的应用。大功率发光二极管已经被制作成固态照明光源推向市场,是未来取代传统照明的一种新型光源。且相对于Si、GaAs、InP等传统半导体材料来说,GaN材料具有宽禁带、高击穿场强、高电子饱和和速度等特性,因而被誉为第三代半导体材料的代表。GaNHEMT的输出功率密度要比GaAsFET高一个数量级以上,同时具...
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