技术编号：12370542
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于LED外延技术生长领域，尤其涉及一种具低阻的P型GaN外延层制备方法。背景技术LED作为固态光源，具有体积小、效率高、寿命长、环保等优点，被誉为第三代绿色节能光源，虽然目前LED已经进入商业化生产阶段，但LED在技术上还面临诸多难题，如工作电压较高。LED的工作电压高主要是由于LED中的pGaN电阻太大。GaN通常采用CP2Mg作为掺杂剂，然而由于Mg受主在GaN中的电离能较高，高达170meV，通常不到1%的Mg受主发生电离，产生空穴，因此p型GaN中的空穴浓度较低，有人提出提高p型...
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