技术编号:12370546
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种掺杂的氧化锆薄膜、QLED及制备方法。背景技术目前QLED器件中,ZnO和TiO2作为无机电子注入层,被广泛应用在显示器件中,并且使得器件的性能得到了提高。而氧化锆和氧化钛是同族的氧化物,但时其在QLED中的应用鲜有报道。目前氧化锆无法应用于QLED的一个重要原因是氧化锆的能级与不同的量子点能级不相匹配,并且氧化锆的电子迁移率较低,所以不适合应用到各种量子点的显示器件中。因此,现有技术还有待于改进和发展。发明内容鉴于上述现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。