技术编号:12370560
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体照明领域,特别涉及一种发光二极管晶圆及其形成方法。背景技术发光二极管(LED)是响应电流而被激发从而产生各种颜色的光的半导体器件。其中,以氮化镓(GaN)为代表的III-V族化合物半导体由于具有带隙宽、发光效率高、电子饱和漂移速度高、化学性质稳定等特点,在高亮度蓝光发光二极管、蓝光激光器等光电子器件领域有着巨大的应用潜力,引起了人们的广泛关注。从结构角度区分,发光二极管可以分为正装结构、倒装结构以及垂直结构。其中,垂直结构的发光二极管具有散热效率高、承载电流大、发光强度高、耗电量...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。