技术编号:12370866
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于纳米电极材料制备技术领域,特别涉及稻壳基多孔硅纳米材料的制备技术。背景技术随着化石资源的枯竭和环境问题的加剧,人类迫切需要清洁、高效、可持续的能源,以及与之相关的能量转换与储存新技术。能量存储器件是现代社会不可缺少的关键器件之一。锂离子电池石墨碳负极材料理论比容量只有372mAh/g,且倍率性能差,振实密度小,无法满足高比能量锂离子电池的需求。因而,寻找高比容量的负极材料来替代石墨势在必行。硅具有高达4200mAh/g的理论比容量和适中的电压平台,是最有希望替代石墨的锂离子电池负极材料...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。