技术编号:12372058
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明设计一种用于CdS单晶体的切割方法,属于半导体材料的加工领域。背景技术硫化镉(CdS)晶体是带宽为2.4eV的直接跃迁型Ⅱ一VI族化合物半导体材料。CdS单晶的优异光电性质使其在探测器、太阳能电池,红外视窗等半导体器件制备上具有广泛的应用。CdS晶体的加工包括定向、滚圆、切割、研磨、抛光、清洗等工艺,在后续的研磨、抛光工序之前,需要先将晶锭切割成表面平整、厚度均一的切割片,切割工艺的好坏直接影响后续的加工工艺。由于CdS晶锭的厚度较小(通常小于1cm),常采用单线切割工艺对其进行切割。在单...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。