技术编号：12374712
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种芯片技术，特别是涉及一种三维芯片及其时钟TSV调整方法。背景技术三维芯片(3D-IC)将未封装的裸晶片在垂直方向上进行堆叠，并封装成一颗完整的芯片。这些堆叠在一起的晶片通过一种叫做“过硅穿孔”(through-silicon-via，下简称TSV)的技术来互向传递信号。三维芯片这种与传统芯片截然不同的封装方式具有许多的优点，包括：芯片的面积变小了，集成密度极大的增加了；TSV的垂直距离远小于普通的连线，从而使信号延迟减小；相应的芯片功耗也会变小；更重要的是，不同工艺的芯片可以通过堆...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。