技术编号:12374742
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,具体而言,涉及一种高电压电平转换电路。背景技术由于大多数的内存操作中使用了大量的电压电平的变化(例如,出字和位线驱动器),因此,大多数内存(例如,闪存、EEPROM)电路中使用HVLS(HighVoltageLevelShift,高电压电平转换)来传输写入操作期间来自模拟传输块的高电压(10~16V)。由于高电压(HV)N沟道金属氧化物晶体管(NMOS)与HVP沟道金属氧化物晶体管(PMOS)阈值电压(Vt)大概为0.8V,尤其是在最恶劣条件下Vt接近于1.0V,因此,...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。