技术编号:12389670
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种碳掺杂的石墨相氮化碳纳米管及其制备方法,属于对半导体材料掺杂改性制备技术领域。背景技术单一相类石墨化氮化碳(g-C3N4)作为一种有机聚合物半导体,由于其良好的理化性质、易制备、空气中稳定存在、禁带宽度为2.7eV能够在可见光范围内被激发等优势,使它成为一种新型有机光催化剂,可用于光解水产氢产氧、降解有机污染物、储氢等方面,因而在环境、能源、生物等很多领域都能够得到广泛的应用。然而,由于简单高温聚合制备的体相g-C3N4层与层间导电性较差,使其光生电子与空穴复合率较高,光催化活性较...
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