技术编号:12390167
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。高孔率介孔硅质结构本案是申请日为2012年11月19日、申请号为201280057921.0、发明名称为“高孔率介孔硅质结构”的专利申请的分案申请。技术领域本发明涉及基于交联氧化硅单元的非晶介孔硅质结构以及这种结构的制备方法。背景技术介孔结构是指高表面积多孔氧化物,例如氧化硅,其利用氮吸附/脱附等温线计算的平均孔尺寸不大于约100纳米,如Stucky等在美国专利公布2009/0047329中所公开的,所述专利公布以其全部内容通过引用并入本文中。一些介孔氧化物结构可以制备成介孔泡沫的形式。基于介孔...
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