技术编号:12390704
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及功能材料技术领域,尤其涉及一种二维纳米片层材料及其制备方法。背景技术近年来,与零带隙石墨烯相比,具有单层或少数几层过渡金属二硫属化合物半导体以其独特的物理、化学性质在光电子器件领域的潜在应用引起了科研人员的广泛关注。例如,Gu首次采用锂插层法制备出的MoS2纳米片层作为聚合物太阳能电池器件正极修饰层,得到具有较高光电转换效率的太阳能器件(Adv.EnergyMater.,2013,3,1262–1268),由此开启了过渡金属二硫属化合物在太阳能电池界面层方面的应用;Yang等人同样采用...
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