技术编号:12394847
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于氧化镁靶材技术领域,具体涉及一种基于表面快速热处理高纯致密氧化镁靶材的制备方法。背景技术氧化镁具有高温热稳定性、高介电性、低介电损耗及多种衬底晶格匹配良好等优点,氧化镁薄膜通常采用磁控溅射方法,靶材的纯度、致密度、晶粒尺寸及尺寸分布都会极大地影响溅射薄膜的质量与性能,如靶材的致密度影响溅射时的沉积速率、溅射镀膜粒子密度和弧光放电,还影响溅射镀膜的电学和光学性能,而且靶材的晶粒越细小,溅射速率越快,晶粒尺寸分布越集中,厚度分布也越均匀。目前,氧化镁靶材的制备方法主要有无压烧结、注浆成型、...
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