技术编号：12395286
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种放电等离子烧结法制备多孔碳化硅陶瓷的方法，属于多孔陶瓷材料制备技术领域。背景技术多孔陶瓷具有密度低、比表面积大、渗透率高以及耐高温和化学腐蚀等性能，被广泛用作过滤、分离、隔热、吸声、催化剂载体、化学传感器和生物陶瓷等元件材料，显示了优良性能和良好的应用前景。碳化硅多孔陶瓷是一种兼具结构性和功能性能的陶瓷材料，其不仅具有陶瓷基体的优良性能，而且还具有较大的气孔率及可调节的气孔形状、气孔孔径尺寸及其分布；还具有相匹配的优良热、电、磁、光及化学性能。随着科技的发展，其已在环境保护、过滤分...
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