技术编号:12414214
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于材料制备领域,具体为高纯铝的制备方法。背景技术6N高纯铝主要应用于半导体工业及超导体,其中半导体工业约占96%,用于超导体约占4%。主要应用包括:1、阴极溅镀靶。2、集成电路配线。3、光电子存储媒体。4、航空航天领域。高纯铝的最大应用领域是生产电子铝箔,用于制造铝电解电容器,其消耗的高纯铝量约为高纯铝总产量的80%。从高纯铝的应用方面以及市场需求情况考虑,开展6N高纯铝的研制迫在眉睫。发明内容本发明的目的是为了解决上述背景技术中所提到的问题,提供了一种高纯铝的制备方法。为了实现上述目的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。