技术编号：12415710
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种钨W、石墨C共掺杂DLC薄膜的制备方法，其主要应用于器件的防磨损、硬度等方面。涉及摩擦学及表面工程领同时也属于半导体薄膜与器件领域。背景技术类金刚石DLC薄膜是一种性能类似于金刚石的一种非晶碳膜，具有类似于金刚石的性能特点，硬度和耐磨性仅次于金刚石，具有极高的硬度、电阻率、电绝缘强度和热导率，同时具有良好的化学稳定性和生物相容性等特点，因此，类金刚石薄膜在国外早已被广泛用于机械、电子、光学、声学、磁介质保护以及医学等领域。研究发现DLC薄膜的力学性能与sp2和sp3相对含量有关，但...
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