技术编号:12415712
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种钨W掺杂类金刚石薄膜的制备方法,其主要用于航空航天领域,涉及到器件的磨损,硬度等方面,属于薄膜与器件领域。背景技术类金刚石DLC是一种主要由sp3和sp2键组成的混杂亚稳态碳材料。由于具有与金刚石膜(DF)相类似的性能--优异的机械特性、电学特性、光学特性、热学和化学特性等等,因此得到国内外较多人员的极大兴趣。对于类金刚石薄膜来说,金刚石相(sp3)含量的多少直接决定着薄膜的强度,但如果单纯的只含有sp3相其相应内应力也较大,不利于后续薄膜在器件上的使用。国内外较多学者通过掺杂在不...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。