技术编号：12415744
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及大口径元件镀膜检测技术领域，尤其涉及一种利用斐索干涉仪检测大口径元件膜厚均匀性的方法。背景技术半导体工业的发展为光刻技术提出了更高的需求，为了提高光刻系统的分辨率，曝光光源的波长不断减小，同时投影物镜的数值孔径(NA)不断增大。以目前主流的193nmArF准分子激光光刻为例，已经连续突破90nm，65nm和45nm节点，使用二次曝光技术，可以实现32nm的分辨率。为了提高投影物镜的数值孔径，必须使用较多大口径、大口径/曲率半径的球面和非球面元件，而为保障大口径元件表面膜系的一致性，需在...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。