技术编号:12415790
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及原子层沉积技术领域,尤其涉及一种变电场原子层沉积系统的控制方法。背景技术原子层沉积技术(ALD)是通过反应前驱体交替进入反应腔室进行的以表面自限制化学反应为机制的沉积技术。具有沉积厚度原子级别的高精度可控、高保形性、低温沉积等特点。原子层沉积技术(ALD)发生的表面反应是自限制的,每次循环生长的薄膜都只是一个单原子层。然而实验过程中却发现通常原子层沉积每层只能沉积单个原子层的15-60%左右,沉积速率远小于原子层沉积单原子层膜的形式一层一层生长的理论预期。沉积所得薄膜的晶体取向存在随机...
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