技术编号:12415812
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及氧化铁纳米管阵列结构薄膜,具体涉及一种Ag掺杂氧化铁纳米管阵列结构薄膜及其制备方法。背景技术在众多氧化物半导体中,α-Fe2O3属于热力学最稳定的晶型,与宽禁带半导体氧化物相比,其能够吸收太阳光波长高达554nm,可捕获到40%太阳光能量。α-Fe2O3理论最大光能转化为化学能效率(PhotoconversionEfficiencyofLightEnergytoChemicalEnergy,ε)为12.9%,超过美国能源部对实际应用半导体的ε至少为10%的要求,再加上其具有成本低,无毒...
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