技术编号:12416302
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及纳米材料应用技术领域。更具体地,涉及一种提高硅/金属氧化物纳米线阵列光电化学性能的方法。背景技术氢能被认为是未来最清洁的能源之一。利用太阳能实现半导体光电化学分解水制氢气,是清洁制备氢能的一条有效途径。而这一过程中,半导体光电极是决定光电化学分解水效率的关键因素。人们采取了多种手段和策略,从光电极的组成、形貌、结构等诸多方面进行优化。人们发展了基于两种(或以上)半导体材料组成的复合光电极,克服单一半导体在光电化学分解水应用中存在的带隙太宽、带边位置不合适、光生载流子利用率低等问题。在电...
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