技术编号:12416643
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于提拉生长晶体技术领域,具体涉一种有效防止炉内污染的提拉法晶体生长炉。背景技术从熔体中提拉生长晶体的方法为Czochralski于1918年首创的晶体生长方法,简称CZ法。传统提拉法晶体生长设备均存在最致命的缺陷,即长晶环境对生长的单晶材料的污染问题,典型特征为:长晶腔室较大,外部均设置水冷,晶体生长材料长晶是在密封腔室中进行的,熔融锅内放长晶材料,加热方式大多采加热炉套加热(也有电阻丝加热的),还包括保温套和绝热材料等,并且均置于炉体腔室内部,即和长晶材料在同一个腔室内。长时间高温环境...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。