技术编号:12416737
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体纳米技术领域,具体涉及单晶氮化铝(AlN)纳米管阵列的生长方法。背景技术氮化铝(AlN)是一种重要的III-IV族材料,它具有高达6.2eV的禁带结构、优良的热传导性、高阻抗、低介电损耗和极高的压电响应特性,在深紫外发光二极管、表面与体声波器件、压电器件、场发射器件、III-IV族氮化物器件的缓冲层等方面有着巨大的应用潜力。相比于多晶结构,AlN单晶材料的缺陷更少,界面态密度更低低,基于单晶AlN的器件性能远强于基于非晶或多晶AlN的器件,生长单晶AlN纳米结构已成为AlN纳米材...
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