技术编号：12451597
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于硅晶单元制作领域，尤其涉及一种探测硅片隐裂的设备及其硅片隐裂的探测方法。背景技术硅片隐裂是指的硅片单元内部存在破损，因机械应力产生裂痕，产生了硅片隐裂的硅片单元在使用过程中，会出现许硅片单元失效，功能不足等问题，影响硅片的细栅线传输电能能力，目前现有技术中硅片隐裂一般是依靠电检测法来检测硅片明暗情况，电检测法在检测过程中需要对硅片进行通电，然后在观察通电后硅片是否存在缺陷，热场是否均匀，电检测法在对硅片检测的过程中需要对硅片施以不同的电压和电流，其具有以下缺陷：①人工操作容易损坏硅片，...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。