技术编号：12455238
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半绝缘半导体材料电学参数测试研究领域，特别涉及一种半绝缘半导体电阻率气控悬浮式探针电容探头及测试方法。背景技术半绝缘半导体是继第一代半导体材料Si后发展起来的第二代半导体材料GaAs、InP和第三代半导体材料，如SiC、GaN等，具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和浓度、抗辐射能力强、介电常数小等特点，适合于制备高温、高频、大功率的电子器件及性能优异的微波、光电器件，具有广泛的应用前景。对于任何半导体物质的研究，电阻率都是一个非常重要的依据，是研发、生产过程中必须测量的重...
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