技术编号:12456185
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件测试研究领域,特别涉及一种针对PN结进行自动测量的电容电压特性测试仪及其测试方法。背景技术PN结是半导体器件的基础单元,由于PN结本身是一个势垒区,存在势垒电容,加正向偏压时,PN结势垒区变窄,结电容变大;加反向偏压时,PN结势垒区变宽,结电容变小。结电容C=Q/V,其中Q为结区电荷,V为电压。电荷量Q是由电离杂质(施主或受主)形成的,因此Q值与杂质浓度相关,通过测量二极管电容和电压之间的关系可以得到器件内部杂质浓度随深度的变化情况,这是研究器件特性的重要手段。目前普遍使用的...
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