技术编号：12456341
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于纳米材料制备技术领域，具体涉及一种水相合成稀土Eu掺杂的CdSe量子点(CdSe:Eu)的方法。背景技术掺杂量子点指的是在单纯的量子点内部引入过渡金属离子或稀土离子杂质而形成的复合型半导体材料，通常引入的杂质是少量或微量的，不会改变母体半导体的晶体结构。掺杂纳米粒子的发光性质可以通过掺杂不同离子、或掺杂不同浓度的相同离子来调控，得到不同的发射波长。此外，通过掺杂可以使半导体纳米粒子具有新的光学性质，使其在太阳能电池、显示器、生物标记、传感器等多个领域展现出诱人的应用前景。以往对于掺杂的...
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