技术编号:12467547
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及辐射探测中的半导体探测器,具体涉及辐射探测成像中探测器的像素阳极电极设计。背景技术半导体探测器以其较高的探测效率、较好的能量分辨率受到广泛的关注,被应用到辐射探测的各项应用中,例如环境辐射检测中的核素识别仪、计量报警仪等;国家安全中的物品检测如物品机、工业计算机断层扫描(CT);医疗应用中的CT、牙科成像、正电子发射断层扫描(PositronEmissionTomography,PET)、单光子计算机断层扫描(SinglePhotonEmissionComputerTomography...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。