技术编号：12468166
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种掩膜板使用方法，尤其涉及一种有机膜技术与ITO薄膜技术共用掩膜板的方法。背景技术光刻胶主要使用在光刻工艺中，由于响应紫外线光的特性不同主要分为两类：正性光刻胶和负性光刻胶。光照后形成不可溶物质的为负性胶；反之，对某些溶剂不可溶，经过光照后形成可溶物质的为正性胶。目前，大多数薄膜晶体管(TFT)阵列基板制造过程中使用的有机膜与光刻胶均为正性，阵列基板制造过程中进行的曝光工艺均需要使用掩膜板(Mask)，每一次曝光需要一块掩膜板，而掩膜板价格昂贵，所以一个产品在购买掩膜板上需要花费大量...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。