技术编号:12473793
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于金属氧化物半导体层的结晶方法及半导体结构,特别关于利用氧气或惰性气体使非结晶金属氧化物半导体层形成结晶的方法,以及利用此结晶方法所形成的半导体结构。背景技术近年来,由于半导体制造技术的进步,薄膜晶体管(Thin-filmtransistor,TFT)的工艺也趋于简单及快速,使得TFT被广泛应用于计算机芯片、手机芯片、TFT液晶显示器(Liquidcrystaldisplay,LCD)等。其中,一种常用的制作薄膜晶体管的方法为反向通道蚀刻(Backchanneletch,BCE),包含...
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