技术编号:12473794
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微纳加工技术领域,具体涉及一种庞磁阻锰氧化物薄膜图形化的方法。背景技术强关联复杂电子体系的研究一直是凝聚态物理研究领域的核心之一。强关联电子体系是指电子间的交互作用不可忽略的系统。在强关联体系中,由于电子之间的强相互作用,导致了许多新奇的物理现象:如高温超导体、多铁性、二维电子气中的分数量子霍尔效应、锰氧化物材料中的庞磁阻效应等。由于这些效应在不同的领域内都有很强的应用前景,从而吸引了广泛的关注,激发了极大的研究热情。在强关联体系中,由于电子自旋、轨道、电荷和晶格间的相互作用,使其具有...
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