技术编号:12473813
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,具体涉及源漏极离子注入工艺;更具体地说,本发明涉及一种防止浅层离子注入工艺过程中离子析出的方法。背景技术离子析出缺陷原理:离子注入过程中晶圆表面若有较厚的氧化层,那么离子的注入与正常比较会较浅,再经过热制程之后,最靠近表面的少量离子会钻出,将表面层顶起,从而导致表面鼓起,形成鼓包缺陷(如图1的显微图所示),即形成表面氧化层鼓起。发明内容本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷,提供一种防止浅层离子注入工艺过程中离子析出的方法,由此能够提高浅层离子注入效率,减...
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