技术编号：12473930
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本揭露关于半导体装置的制造，且具体而言，关于减少金属1(「M1」)拥塞(Metal1congestion)的制程。本揭露尤其可应用于针对10及7纳米(nm)及以上的技术节点的半导体装置。背景技术半导体装置使用于大量电子装置中，例如电脑、手机等等。半导体装置包含集成电路，其藉由沉积许多类型的薄膜材料于半导体晶圆上方且图案化该薄膜材料以形成集成电路而形成在半导体晶圆上。半导体产业的一个目标是持续缩小电路的尺寸。然而，当电路的单元尺寸以先进的技术节点缩小尺度时，M1设计中的拥塞变得具有挑战性。具体而言...
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