技术编号：12473950
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种半导体元件，且特别是有关于一种包含有三维(three-dimensional，3D)环绕式栅极(gate-all-around，GAA)垂直栅极(verticalgate，VG)结构的半导体结构和半导体元件，以及制造这种半导体结构和半导体元件的方法。背景技术对半导体元件制造者而言，进一步缩小半导体结构和元件的临界尺寸，以实现在较小的区域中有着更大的存储容量，并且达到每位有更低的成本的需求仍持续增加。使用之，例如：薄膜晶体管(thinfilmtransistor，TFT)技术、电...
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