技术编号：12474322
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的技术方案涉及适用于一种实现蓝宝石衬底重复利用的垂直LED芯片制备方法，属于光电领域。背景技术传统LED芯片都是以蓝宝石为衬底生长GaN外延层，蓝宝石衬底导热性差,对LED散热制约很大。同时，它基本不导电的性质导致制备N电极时需要牺牲部分发光层，对LED的发光亮度有很大影响。随着人们对LED集成度及发光亮度要求的提升，传统LED芯片已经不能满足要求，因此采用衬底转移技术将蓝宝石换成导电性好、热导率高的Cu、Si等衬底的垂直LED芯片是目前LED领域研究的重点。在垂直LED芯片制备过程中，衬...
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