技术编号：12474362
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例涉及集成电路器件，更具体地，涉及RRAM器件和方法。背景技术许多现代电子器件包含配置为存储数据的电子存储器。电子存储器可以是易失性存储器或非易失性存储器。易失性存储器仅在通电时存储数据，而非易失性存储器能够当断电时保持数据。由于电阻式随机存取存储器(RRAM)的简单的结构以及与CMOS逻辑的兼容性，电阻式随机存取存储器(RRAM)是用于下一代非易失性存储器的一种有前景的候选。RRAM单元包括具有可变电阻的介电数据存储层。介电数据存储层的电阻电平可以在不同电阻状态之间可逆地切换，每种...
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