技术编号：12476132
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电力电子技术领域，具体涉及一种基于倍压整流电路实现的忆阻器等效电路。背景技术忆阻器是由华裔科学家蔡少棠提出的一种具有记忆特性的基本元件，分为磁控忆阻器和荷控忆阻器，其中忆阻器的定义式为：i＝g(x,v)v(1)其中v为输入电压，i为输入电流，x表示状态变量，g表示电压和电流的函数关系，f为状态变量和电压的函数关系。它基本特性为，当输入正弦波信号时，忆阻器的伏安特性曲线为一个“斜八字”。忆阻器的理论模型被提出至今,暂时还没有找到对应的实物。2008年HP公司利用TiO2和TiO2-x薄膜...
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