技术编号：12476138
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种闪存的擦除方法。背景技术在多种非易失性存储器中，快闪存储器(FlashMemory)，也被称为闪存，由于其具有高速、高密度、断电后仍然能够保持数据等特点，在各种电子设备中获得了广泛使用。在闪存的使用中，经常需要对存储单元上的信息进行擦除，所述擦除操作为在控制栅极施加擦除电压以从浮栅移除电子。在现有技术中，为了保证擦除操作的成功率，通常采用逐次增大的擦除电压进行重复擦除。具体而言，每次擦除操作完成之后，将检验擦除状态以确认是否擦除成功，如果擦除不成功，则调节施...
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