技术编号:12476147
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种提升闪存存储器数据保持力的方法。背景技术NOR型闪存存储器单元是浮栅(floatinggate,简称FG)结构的MOS型晶体管,工作原理是通过对FG注入或者释放电荷改变存储单元的阈值电压来达到存储或释放数据的目的。擦除(floatinggate)的过程是在控制栅(controlgate)与阱(Well)上施加反向电压,通过隧道效应将电荷拉出FG,编程(Program)“0”则是通过控制栅与位线(BiteLine,BL)上施加电压通过沟道(CHE)效应将电...
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