技术编号:12477147
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种双向MOSFET开关和一种至少带两个双向MOSFET开关的多路复用器。背景技术现有技术中,电路拓扑结构以一种已知的双向信号连接的MOSFET电路拓扑为基础,也常称为“公源极”,如图1所示。为了将晶体管切换至导通状态,控制电流需要通过电阻R1产生必要的栅源电压,并对T1和T2的两个栅极进行充电。如果控制电压电耦合到信号电压,它必须比信号电压大或小,这样T1和T2才能被切换至导通状态,控制电压取决于MOSFET的类型(N或P沟道)、晶体管规格。对于高电压信号来说在技术上有一定难度。缺点...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。