技术编号：12477766
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种内衬接地组件、反应腔室及半导体加工设备。背景技术在刻蚀工艺中，腔室内部结构的优化设计对工艺性能及刻蚀结果有着决定性的作用。优良的腔室结构设计不仅要考虑到真空系统中流体动力性能和等离子体本身的性能，还要考虑到结构的整体导热性能与接地性能。目前，在用于刻蚀的反应腔室内部通常设置有内衬，主要用于改善腔室内部等离子体的有效流动性，同时约束等离子体，保护腔室内壁与底部不被刻蚀。此外，通常需要在反应腔室内设置内衬接地组件，来实现内衬的接地和热传导，该内衬接地组件的结...
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