技术编号：12477843
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体制作技术领域，尤其涉及一种连续型非晶硅薄膜处理系统及方法。背景技术多晶硅薄膜是制造高迁移率薄膜半导体(TFT)的材料，TFT是制造平面显示屏的关键元件，因此如何将非晶硅(α-Si)转变成多晶硅(p-Si)就成为微电子器件制造中的重要工序，现在使用的多晶硅薄膜都具有高密度晶粒边界，显微组织的完整性相当差。用此材料制造的TFT装置都稳定性差(往往低于用单晶硅薄膜制造的TFT装置)，不能获得高性能和质量均匀稳定的TFT，使用传统加热退火虽能改善组织，提高性能，但必须用昂贵的石英晶体...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。