技术编号:12477862
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种减少晶圆离子损伤方法及离子发生器。背景技术在IC产品的晶圆的制作过程中,需要经过一系列的工序最终制成IC产品,其中在进入金属物理沉积工序之前,需要去除晶圆表面的氧化物,而去除晶圆表面的氧化物时需要采用溅射技术,其主要利用离子发生器发射一定能量的粒子轰击固体表面即晶圆表面的氧化物,氧化物表面的原子或分子获得足够大的能量而最终逸出固体表面已到达去除晶圆表面的氧化物;如图1所示,现有的离子发生器在对晶圆的表面的氧化物进行去除时,其发射的离子往往因为发射于晶圆表面离...
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