技术编号:12477910
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于新材料及半导体领域,特别涉及一种氧化铟透明半导体薄膜的低温溶液制备方法,氧化铟透明薄膜在晶体管、存储器、太阳能电池等信息能源领域有重要应用前景。背景技术在科学技术日新月异的今天,半导体材料的发展经历了第一代以锗、硅为代表的元素半导体,第二代以砷化镓、磷化铟为代表的化合物半导体,第三代半导体材料则以氮化镓、碳化硅、氧化锌等宽禁带半导体为代表,它们一般具有更高的击穿电场、热导率、电子饱和速率和更高的抗辐射能力,因而更适合于制作高温、高频及大功率器件,其中的ZnO和SnO2等宽禁带半导体氧化...
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