技术编号：12477914
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于集成电路工艺制造技术领域，具体涉及一种锗基器件的欧姆接触制作方法背景技术随着CMOS技术的不断进步，通过缩小特征尺寸，不断提升MOS器件的特性。但是在7纳米技术节点以后，硅基半导体面临诸多挑战：迁移率退化、源漏穿通漏电、热载流子效应等等。其中迁移率退化是影响集成电路速度提升的主要难点。为此，新型的沟道材料被认为是推进硅基MOS器件继续提升性能的关键。锗材料的电子迁移率和空穴迁移率都优于硅，与硅基半导体工艺兼容性好，从而被广泛关注。目前，锗基MOS器件的界面特性有了很大的提升，P型欧姆接...
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