技术编号:12477934
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种高耐压半导体分立器件芯片二次腐蚀台面工艺。本发明涉及一种半导体器件的加工方法,尤其涉及一种高耐压半导体分立器件芯片二次腐蚀台面工艺。背景技术传统的台面半导体分立器件芯片多采用一次腐蚀V型槽工艺,腐蚀深度一般为80~90μm。由于二氧化硅与硅的腐蚀速率不同,腐蚀过程中在二氧化硅与硅界面形成小角度台阶,影响后续玻璃粉对V型槽的填充效果,V型槽接近硅片表面处不能完全被玻璃粉填满和覆盖,致使在对产品进行电压测试时,V型槽边缘容易产生火花儿,表面漏电增大导致产品击穿电压降低,影响产品可靠性。...
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